I. Fitur Inti dan Inovasi Teknologi Teknologi Komposit Berlian
Coating berlian CVD atau teknologi pelapis seperti berlian DLC digunakan, dengan kekerasan permukaan hv 3000-4500 dan resistansi keausan meningkat lebih dari 10 kali
Konduktivitas termal melebihi 600 W/(M · K), yaitu 3 kali lipat dari pelat aluminium tradisional, mencapai disipasi panas yang efisien
Perawatan permukaan presisi
Pulse plasma polishing technology, surface roughness Ra≤0.05μm, reflectivity>95%
Oksidasi Mikro-Arc menghasilkan 30-50 μm lapisan keramik dengan tegangan kerusakan 2000V/mm
Lightweight structural design Honeycomb aluminum sandwich structure density 1.2g/cm³, compressive strength>50mpa
Permukaan Laser Mikro bertekstur mengurangi koefisien seret sebesar 15%, cocok untuk adegan olahraga berkecepatan tinggi
ii. Area Aplikasi Utama
Industri Skenario Aplikasi Khas Persyaratan Kinerja
Disipasi Panas Elektronik Stasiun Basis 5G Modul RF
Konduktivitas termal pengemasan dioda laser lebih besar dari atau sama dengan 5 0 0w/(m · k), kehilangan dielektrik <0,001
Semiconductor manufacturing
Robot transfer wafer, resistansi permukaan lapisan vakum> 10¹⁴Ω,
penumpahan partikel <5/m²
Aerospace Braket optik satelit, resistensi suhu 2000 derajat /30s,
Pesawat hipersonik terkemuka koefisien ekspansi termal serat karbon yang cocok
Kendaraan Energi Baru Substrat Modul Daya Karbida Silikon, Resistensi Embrittlement Hidrogen yang Sangat Baik
Resistansi kontak pelat bipolar sel bahan bakar hidrogen <1mΩ · cm²
Peralatan High-End ROBOT INDUSTRI HARMONIC REDUCER HOUSING,
CT Scanner Rotating Frame Kekakuan terhadap Weight Rasio ＞ 80GPA/(G/CM³)
AKU AKU AKU. Proses terobosan dan evolusi standar
Teknologi Manufaktur
Deposisi Komposit Gradien: Kekuatan Antarmuka AL/Diamond ＞ 200MPa dicapai dengan sputtering magnetron
Paduan Laser Selektif: Generasi in-situ dari fase penguatan Al₃c di bidang utama
Testing Standar
Standar Militer MIL-DTL -32541 D: Menentukan resistansi radiasi bahan komposit berbasis aluminium berlian
IEC 62830-8: Spesifikasi untuk deteksi cacat permukaan pelapis berlian untuk semikonduktor
