Dalam manufaktur semikonduktor, film tipis aluminium biasanya diendapkan pada permukaan chip menggunakan teknologi sputtering logam (sputtering). Sputtering adalah proses pengendapan uap fisik (PVD), yang menyerang target logam dengan menggunakan ionisasi dan percepatan gas inert seperti **argon (Ar)**, menyebabkan atom-atom pada target terciprat dan mengendap di permukaan. wafer yang akan diolah.
1. Prinsip dasar sputtering
Inti dari proses sputtering adalah penggunaan ion argon (Ar+) yang dipercepat pada tegangan tinggi, mengenai permukaan target aluminium. Ketika ion argon mengenai target aluminium, atom aluminium terkelupas dari permukaan target dan tergagap ke permukaan wafer. Ketebalan, keseragaman dan kualitas film aluminium dapat dikontrol dengan mengatur parameter seperti laju aliran gas, tegangan target dan waktu deposisi.
2. Keuntungan proses sputtering
Presisi tinggi: Teknologi sputtering secara tepat dapat mengontrol ketebalan dan laju deposisi film aluminium, yang cocok untuk pembuatan semikonduktor halus.
Deposisi suhu rendah: Proses sputtering memiliki suhu deposisi yang lebih rendah dibandingkan dengan deposisi uap kimia (CVD) dan oleh karena itu menghindari kerusakan material akibat suhu tinggi, sehingga sangat cocok untuk proses yang sensitif terhadap suhu.
Kualitas film bagus: Dengan mengoptimalkan kondisi sputtering, film aluminium dapat memiliki daya rekat dan kerataan yang baik untuk pemrosesan selanjutnya.